| Меню сайта |
 |
|
|
 |
| Интересное Для Вас |
|
|
|
|
| Случайное фото |
|
|
|
|
|
|
| Программы |
|
|
Популярные загрузки
Случайные файлы
|
|
| Мини-чат |
|
|
|
|
| Наш опрос |
|
|
|
|
Главная » 2009 » Январь » 29 » Выпущены чипы DDR3-памяти плотностью 4 Гбит
21:02 Выпущены чипы DDR3-памяти плотностью 4 Гбит |
Samsung первой выпустила чипы DDR3-памяти плотностью 4 Гбит
 Samsung Electronics объявила сегодня о том, что ею сделан значительный прорыв в повышении плотности памяти. Используя 50-нм техпроцесс, инженеры компании сумели достичь самой высокой плотности хранения данных — чипы новой DDR3-памяти имеют плотность 4 Гбит.
Память Samsung 4Gb DDR3 будет применяться, например, для создания 16-ГБ модулей памяти RDIMM, используемой в серверах, а также для сборки 8-ГБ модулей небуферизированной памяти DIMM, которую можно использовать в рабочих станциях и пользовательских ПК.
Технология упаковки чипов позволяет создавать и более ёмкие модули — вплоть до 32 ГБ. 4-Гбит память Samsung работает при напряжении питания 1,35 В, что ещё ниже, чем у типичной памяти этого типа (1,5 В). По сравнению с 2-Гбит памятью, готовые модули на новых чипах потребляют на 40% меньше энергии. Пропускная способность составляет 1,6 Гбит/с.
Память с такой плотностью и малым потреблением энергии будет широко востребована в серверах. Это позволит сократить стоимость датацентров и стоимость их обслуживания, и повысить их общую эффективность работы.
Новость взята с сайта ixbt.com
Источник: Samsung
|
|
Просмотров: 1763 |
Добавил: teks
| Рейтинг: 0.0/0 |
|
|
| Поиск |
|
|
|
| Форма входа |
|
|
|
| Календарь |
|
|
|
| Полезные ссылки |
|
|
|
|
| Translate site |
|
|
|
|
| Интересное Для Вас |
|
|
|
|
| Мы рекомендуем |
|
|
|
| Интересное для Вас |
|
|
|
|
| Хороший магазин |
|
|
|
| Хороший магазин |
|
|
|
|
| Статистика |
|
|
|
|
Главная 
